本中心主任 Vincent Tung 教授於 2026 年 10 月 16 日受邀參加於明志科技大學舉辦之 SDSE Conference，擔任大會專題演講講者（Keynote Speaker），並獲邀擔任本次會議諮詢委員會（Advisory Committee）成員，展現其於新興半導體材料及外延成長技術領域的研究實力與國際學術影響力。
本次專題演講以 「Epitaxy Growth of Emerging P-type Semiconductors on Amorphous Substrates」 為題，聚焦於二維半導體材料的外延成長機制，以及實現大面積、高均勻性單晶薄膜的關鍵技術。隨著半導體元件持續微縮，二維半導體材料因具備原子級厚度與應用於次奈米技術節點的潛力，成為新世代電子元件的重要研究方向。然而，如何在絕緣基板上實現大面積、連續單晶且具優異電性表現的薄膜，仍是推動二維半導體實際應用的重要挑戰。Tung 教授於演講中分享團隊對於二維過渡金屬硫族化合物（two-dimensional transition metal dichalcogenides, 2D TMDs）單晶外延成長機制的最新研究發現相關研究成果近期已成功刊登於國際頂尖學術期刊《Nature》，展現團隊在新興半導體材料與單晶外延成長技術領域的重要突破。
研究指出，除了傳統上受到重視的基板表面階梯邊緣效應外，藍寶石基板表面原子排列與二維材料晶粒之間的交互作用，亦是決定外延成長取向及單晶薄膜形成的重要因素。透過調控 C-plane 藍寶石基板表面的原子結構，使表面呈現單一對稱類型的原子平面，即可促進單層 TMDs 的單晶外延成長，且不必依賴表面階梯邊緣的引導。電性量測結果亦支持薄膜具有良好的結構均勻性。此外，相關研究亦延伸至其他新興材料系統，包括石墨炔（graphdiyne）及鈣鈦礦材料，進一步探討基板表面原子結構與材料外延成長之間的關聯。這些研究成果有助於深化對二維材料單晶成長機制的理解，為大面積、高品質半導體薄膜的製備及未來電子元件應用奠定重要基礎。本中心持續致力於後矽世代異質材料、二維半導體及新興半導體材料的研究與技術開發，透過材料成長、結構分析及元件驗證的整合研究，推動前瞻半導體材料技術發展。
